NPN和PNP晶体管之间的主要区别之一是，在NPN晶体管中，当为基极提供正电源时，电流在集电极到发射极之间流动，而在PNP晶体管中，当负电源提供时，电荷载流子从发射极流向集电极被给予基地。通过考虑各种其他因素，NPN和PNP晶体管在下面的比较表中进行了区分。

　　NPN和PNP都是双极结型晶体管。它是电流控制器件，主要用于信号的开关和放大。大多数情况下，电路中使用NPN晶体管，因为在NPN晶体管中，传导电流主要来自电子，而在PNP晶体管中，传导电流是因为空穴。由于电子更易移动，NPN具有高传导性。

　　字母PNP和NPN表示结晶体管的发射极、集电极和基极所需的电压。NPN和PNP晶体管由不同的材料制成，因此它们中产生的电流也不同。有时，当施加在发射极上的电压时，电子会穿过基极结并到达集电极区。发生这种情况是因为NPN和PNP晶体管的基极非常薄且掺杂轻。

　　NPN与PNP晶体管的结构性能对比：

　　（1）PNP晶体管的定义

　　PNP晶体管有两块p型材料和一块n型材料。它具有发射极、基极和集电极三个端子。PNP晶体管的发射极和集电极由p型材料组成，基极由n型材料组成。

　　npn-晶体管PNP的发射极-基极结连接为正向偏压，而集电极-基极结连接为反向偏压。发射极-基极结将多数电荷载流子推向基极，从而建立发射极电流。p型材料中的空穴与n型材料结合从而构成基极电流。剩余的空穴穿过负偏压的集电极-基极区域，并由集电极收集，由此产生集电极电流。因此，完整的发射极电流流过集电极电路。

　　发射极电流=集电极电流+基极电流

　　（2）NPN晶体管的定义

　　NPN晶体管由两个n型半导体材料组成，它们被一层薄薄的p型材料隔开。NPN晶体管的集电极是最厚的区域，基极是最薄的区域。晶体管的发射极-基极区处于正向偏置，集电极基极区以反向偏置连接。与反向偏置相比，反向偏置的电压要小得多。

　　pnp-晶体管由于大量电子到达基极，发射极-基极结处于正向偏置。这会产生发射极电流。基区中的电子与空穴结合。但基极很薄且掺杂轻，因此只有小空穴与电子结合而构成基极电流。剩余的电子到达集电极基极区并产生集电极电流。整个发射极电流流经集电极电路。

　　发射极电流=集电极电流+基极电流